№11 ноябрь 2024

Портал функционирует при финансовой поддержке Министерства цифрового развития, связи и массовых коммуникаций.

Новый класс высокотемпературных сверхпроводников — теперь и в ФИАНе

Татьяна Зимина. По информации АНИ «ФИАН-Информ».

Структура материала нового класса высокотемпературных сверхпроводников. Слоистое соединение на основе железа LaOFeAs переходит в сверхпроводящее состояние при допировании (легировании) его ионами фтора F <sup>–</sup>.

В Физическом институте им. П. Н. Лебедева (ФИАН) получены первые монокристаллы высокотемпературных сверхпроводников нового класса — на основе железа.

Высокотемпературные сверхпроводники (ВТСП) открыли в 1986 году швейцарские учёные Г. Беднорц и А. Мюллер — это были керамические материалы на основе купратов (соединений оксидов меди с щелочными металлами). Температура сверхпроводящего перехода у первого ВТСП была 36 К. Вслед за этим в гонке за более высокой критической температурой синтезировали огромное количество ВТСП. Максимальная критическая температура (135 К) достигнута в соединениях на основе ртути, синтезированных в 1993 году сотрудниками химического факультета МГУ им. М. В. Ломоносова Е. В. Антиповым и С. Н. Путилиным...

Детальное описание иллюстраций:

Структура материала нового класса высокотемпературных сверхпроводников. Слоистое соединение на основе железа LaOFeAs переходит в сверхпроводящее состояние при допировании (легировании) его ионами фтора F . Температура перехода (критическая температура) зависит от содержания фтор-ионов и достигает максимального значения 26 К при 11 атом. %. Иллюстрация из статьи Y. Kamihara, T. Watanabe, M. Hirano, and H. Hosono, J. Am. Chem. Soc., 2008, 130, pp. 3296—3297.

Продолжение статьи читайте в номере журнала

Журнал добавлен в корзину.
Оформить заказ
Портал журнала «Наука и жизнь» использует файлы cookie и рекомендательные технологии. Продолжая пользоваться порталом, вы соглашаетесь с хранением и использованием порталом и партнёрскими сайтами файлов cookie и рекомендательных технологий на вашем устройстве. Подробнее